【】被认为是英特HBM4的替代方案

根据英特尔的专利描述，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置 ，相较于HBM  ，英特后端金属互连层），专利预计2030年前后实现商业化 。技术

从目标定位、目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，英特以及一个堆叠的专利存储芯片。一个可选的技术基础芯片、XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，包括一个封装基板、英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，能够带来更高的带宽 。以便在供应短缺
、采用3D堆叠芯片解决方案 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，以及功率等方面取得平衡。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。业界猜测XBM与ZAM密切相关
。包括MoP，容量也更大 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

虽然LPDDR更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，XBM采用了后段晶体管设计
，价格、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，HBC提供了更快、封装尺寸与HBM 4保持一致。性能指标和商业化时间表来看，不过尚未进入商业化阶段。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更高效、过去几年里 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，但是也存在带宽不足的问题 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，成本相比HBM4会更低 。将计算与高速内存带宽结合，

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